功耗和电流
本文参考Nexperia的AN11158应用手册计算,链接在这里
估算不同温度的Id
P=I2×RDSon器件在结温的时候的耗散功率,这里假定RDSon 恒定且是最高结温的时候的导通电阻。有
I2d(Tmb)∝Tj−TmbTj−25∘C
Id(Tmb)=Id(25∘C)×√Tj−TmbTj−25∘C
耗散功率
某个温度的耗散功率
比如,根据数据手册25∘C的时候的最大耗散功率是105W,那么75∘C的耗散功率等于:
Ptot(75)=Ptot(25)×Tj−75Tj−25=105×175−75175−25=70W
从温升计算最大功耗和电流
从数据手册中可以得到结到壳的热阻是 1.3∘C/W , 壳温是25度,结温是175的时候,耗散功率是150/1.3=115.38W,这时候可以看到数据手册写的是115W。
从数据手册中可以查到结温是175的时候,导通电阻是6.7 mΩ。
Imax=√115.38W0.0067Ω=131.23A
这里需要注意,虽然计算是131A,但是根据数据手册描述,其他限制了这个MOS的能力,所以降额到了120A。
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