功耗和电流
本文参考Nexperia的AN11158应用手册计算，链接在这里
估算不同温度的$I_{d}$
$$P=I^{2} \times R_{DS_{on}}$$
器件在结温的时候的耗散功率，这里假定${R_{DS_{on}}}$ 恒定且是最高结温的时候的导通电阻。有
$$I_{d}^{2}(T_{mb})\propto \frac{T_{j}-T_{mb}}{T_{j}-25^\circ C}$$
$$I_{d}(T_{mb})= I_{d}(25^\circ C)\times \sqrt{\frac{T_{j}-T_{mb}}{T_{j}-25^\circ C}}$$
耗散功率
某个温度的耗散功率
比如，根据数据手册$25^\circ C$的时候的最大耗散功率是105W，那么$75^\circ C$的耗散功率等于：
$$P_{tot}(75)=P_{tot}(25)\times \frac{T_{j}-75}{T_{j}-25}=105 \times \frac{175-75}{175-25}=70 W $$
从温升计算最大功耗和电流
从数据手册中可以得到结到壳的热阻是 $1.3^\circ C/W$ , 壳温是25度，结温是175的时候，耗散功率是150/1.3=115.38W，这时候可以看到数据手册写的是115W。
从数据手册中可以查到结温是175的时候，导通电阻是6.7 $m\Omega$。
$$I_{max}=\sqrt{\frac{115.38W}{0.0067 \Omega } } = 131.23A$$
这里需要注意，虽然计算是131A，但是根据数据手册描述，其他限制了这个MOS的能力，所以降额到了120A。