功耗和电流

本文参考Nexperia的AN11158应用手册计算，链接在这里

估算不同温度的 $I_{d}$

$P=I^{2} \times R_{DS_{on}}$ 器件在结温的时候的耗散功率，这里假定 ${R_{DS_{on}}}$ 恒定且是最高结温的时候的导通电阻。有

$I_{d}^{2}(T_{mb})\propto \frac{T_{j}-T_{mb}}{T_{j}-25^\circ C}$

$I_{d}(T_{mb})= I_{d}(25^\circ C)\times \sqrt{\frac{T_{j}-T_{mb}}{T_{j}-25^\circ C}}$

比如，根据数据手册 $25^\circ C$ 的时候的最大耗散功率是105W，那么 $75^\circ C$ 的耗散功率等于：

$P_{tot}(75)=P_{tot}(25)\times \frac{T_{j}-75}{T_{j}-25}=105 \times \frac{175-75}{175-25}=70 W$

从数据手册中可以得到结到壳的热阻是 $1.3^\circ C/W$ , 壳温是25度，结温是175的时候，耗散功率是150/1.3=115.38W，这时候可以看到数据手册写的是115W。
从数据手册中可以查到结温是175的时候，导通电阻是6.7 $m\Omega$ 。

$I_{max}=\sqrt{\frac{115.38W}{0.0067 \Omega } } = 131.23A$

这里需要注意，虽然计算是131A，但是根据数据手册描述，其他限制了这个MOS的能力，所以降额到了120A。